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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：17.7nC@10V
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，2.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP4101LT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：15.23nC@4.5V
输入电容：882.51pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：97.26pF@6V
导通电阻：69mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2301A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF@10V
导通电阻：112mΩ@4.5V，2.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2301A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF@10V
导通电阻：112mΩ@4.5V，2.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2301A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF@10V
导通电阻：112mΩ@4.5V，2.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：17.7nC@10V
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，2.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：17.7nC@10V
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，2.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：17.7nC@10V
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，2.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP4101LT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：15.23nC@4.5V
输入电容：882.51pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：97.26pF@6V
导通电阻：69mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：2.3A
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：17.7nC@10V
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
输入电容：637pF@30V
导通电阻：125mΩ@10V，2.3A
类型：1个P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2301A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF@10V
导通电阻：112mΩ@4.5V，2.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2301A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF@10V
导通电阻：112mΩ@4.5V，2.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2301A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF@10V
导通电阻：112mΩ@4.5V，2.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML9303TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.4V@10μA
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：165mΩ@10V，2.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：17.7nC@10V
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，2.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
