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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：30nC@8V
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5V，4.4A
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：30nC@8V
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5V，4.4A
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：5.8A
栅极电荷：30nC@8V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
功率：960mW€1.7W
导通电阻：35mΩ@4.5V，4.4A
漏源电压：8V
类型：1个P沟道
输入电容：960pF@4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：23nC@4.5V
连续漏极电流：5.8A
阈值电压：1.5V@250μA
导通电阻：30mΩ@5.8A，4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：1.33nF@10V
漏源电压：20V
功率：1.6W
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
