品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:55nC@5V
连续漏极电流:8.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:55nC@5V
连续漏极电流:8.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:64mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:64mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:55nC@5V
连续漏极电流:8.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:55nC@5V
连续漏极电流:8.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3415AL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:570mV@250μA
栅极电荷:9.3nC@4.5V
输入电容:751pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:80pF@10V
导通电阻:34mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3415E
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:14.2nC@4.5V
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个P沟道
反向传输电容:85pF@10V
导通电阻:37mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3415AL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:570mV@250μA
栅极电荷:9.3nC@4.5V
输入电容:751pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:80pF@10V
导通电阻:34mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:19.4nC@10V
输入电容:1.03nF@30V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@10V,4.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:64mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:19.4nC@10V
输入电容:1.03nF@30V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@10V,4.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:64mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:40V
功率:1.5W
连续漏极电流:8.7A
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
类型:1个P沟道
栅极电荷:55nC@5V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL6042
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
输入电容:905pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
反向传输电容:115pF@10V
导通电阻:43mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL6042
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
输入电容:905pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
反向传输电容:115pF@10V
导通电阻:43mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3415E
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:14.2nC@4.5V
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个P沟道
反向传输电容:85pF@10V
导通电阻:37mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3415E
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:14.2nC@4.5V
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个P沟道
反向传输电容:85pF@10V
导通电阻:37mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL6042
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
输入电容:905pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
反向传输电容:115pF@10V
导通电阻:43mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL6042
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
输入电容:905pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
反向传输电容:115pF@10V
导通电阻:43mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3415E
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:14.2nC@4.5V
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个P沟道
反向传输电容:85pF@10V
导通电阻:37mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:55nC@5V
连续漏极电流:8.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@5V
连续漏极电流:5.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:30mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:56nC@4.5V
连续漏极电流:9.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:11mΩ@10V,13.7A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@5V
连续漏极电流:5.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:30mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:800mV@850μA
栅极电荷:125nC@4.5V
连续漏极电流:10A
类型:1个P沟道
导通电阻:8.75mΩ@4.5V,14A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:55nC@5V
连续漏极电流:8.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@10V,10.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:6.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:25mΩ@9.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: