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    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DWQ-13 起订28个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DWQ-13 起订28个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84DWQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:130mA

    类型:2个P沟道

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8405_R1_00001 起订48个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8405_R1_00001 起订48个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8405_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.3V@250μA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    输入电容:137pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:390mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI8810-TP 起订31个装
    MCC Mosfet场效应管 SI8810-TP 起订31个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8810-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA

    输入电容:1.15nF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:145pF@10V

    导通电阻:20mΩ@10V,7A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DWQ-7 起订23个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DWQ-7 起订23个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84DWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:130mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:2Ω@5V,1mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DWQ-7 起订24个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DWQ-7 起订24个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84DWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:130mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:2Ω@5V,1mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002K 起订13个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002K 起订13个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LT-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LT-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LT-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:400pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24pF@25V

    连续漏极电流:210mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UW-13 起订38个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UW-13 起订38个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002K 起订15个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002K 起订15个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UW-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UW-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8408_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8408_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8408_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:400mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DWQ-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DWQ-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84DWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:130mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:2Ω@5V,1mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002K 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002K 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8603_R1_00001 起订2000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8603_R1_00001 起订2000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8603_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA€2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:950pC@4.5V€1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V€36pF@25V

    连续漏极电流:200mA€360mA

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:1.5Ω@500mA,10V€6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V€60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6332C-F085 起订数5000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6332C-F085 起订数5000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":8393,"22+":22849,"23+":104089,"MI+":48000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6332C-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:113pF@10V

    连续漏极电流:700mA€600mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002K 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002K 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDW-7 起订数30000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDW-7 起订数30000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8408_R1_00001 起订8000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8408_R1_00001 起订8000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8408_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:400mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DWQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DWQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84DWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:130mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:2Ω@5V,1mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002K 起订15个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002K 起订15个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订2000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订2000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 MMBF170-7-F 起订数30000个
    DIODES Mosfet场效应管 MMBF170-7-F 起订数30000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@250μA

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5Ω@10V,200mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8603_R1_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8603_R1_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8603_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA€2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:950pC@4.5V€1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V€36pF@25V

    连续漏极电流:200mA€360mA

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:1.5Ω@500mA,10V€6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V€60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8603_R1_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8603_R1_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8603_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA€2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:950pC@4.5V€1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V€36pF@25V

    连续漏极电流:200mA€360mA

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:1.5Ω@500mA,10V€6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V€60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订19个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订19个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订9个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订9个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:2.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:2.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 2N7002K 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002K 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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