采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：19nC@4.5V
输入电容：1.02nF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：39mΩ@4.5V，4.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：19nC@4.5V
输入电容：1.02nF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：39mΩ@4.5V，4.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2306BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：3.16A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：19nC@4.5V
连续漏极电流：3.7A
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：1.02nF@10V
导通电阻：39mΩ@4.5V，4.7A
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
功率：750mW
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DS-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：18nC@4.5V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻：32mΩ@5.3A，4.5V
类型：P沟道
漏源电压：12V
阈值电压：1V@250µA
输入电容：1100pF@6V
功率：750mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4nC@5V
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4nC@5V
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：31mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
输入电容：1.1nF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：32mΩ@4.5V，5.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：31mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4nC@5V
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4nC@5V
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：78mΩ@10V，3.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：78mΩ@10V，3.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2312CX RFG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2312CX RFG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2306BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：3.16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2312CX RFG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4nC@5V
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
