采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：140mA
类型：1个N沟道
导通电阻：50Ω@10V，100mA
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4Ω@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11GTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@10V，4.4A
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL120GTA
导通电阻：10Ω@5V，250mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：320mA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：85pF@25V
类型：1个N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
功率：2W
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
