品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:900pC@10V
输入电容:27.6pF@10V
连续漏极电流:500mA€3.9A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V€12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:900pC@10V
输入电容:27.6pF@10V
连续漏极电流:500mA€3.9A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V€12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:14nC@4.5V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:14nC@4.5V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:40mΩ@4.5V,6.2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:14nC@4.5V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:40mΩ@4.5V,6.2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: