品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3731U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
连续漏极电流:900mA
类型:1个N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3731U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
连续漏极电流:900mA
类型:1个N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:500nC@4.5V
输入电容:37pF@16V
连续漏极电流:900mA
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@4.5V,200mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:52pF@16V
连续漏极电流:900mA
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:500nC@4.5V
输入电容:37pF@16V
连续漏极电流:900mA
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@4.5V,200mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:400pC@4.5V
输入电容:28.7pF@15V
连续漏极电流:330mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:400pC@4.5V
输入电容:28.7pF@15V
连续漏极电流:330mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:500nC@4.5V
输入电容:37pF@16V
连续漏极电流:900mA
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@4.5V,200mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:4.6nC@10V
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:700mA
类型:1个N沟道
导通电阻:700mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3731U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
连续漏极电流:900mA
类型:1个N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:400mW
栅极电荷:500nC@4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:900mA
漏源电压:20V
导通电阻:600mΩ@4.5V,200mA
输入电容:37pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存: