销售单位：个

规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：2.2V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：24nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.376nF@25V

连续漏极电流：54A€14A

类型：1个N沟道

导通电阻：7mΩ@27A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：2.2V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：24nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.376nF@25V

连续漏极电流：54A€14A

类型：1个N沟道

导通电阻：7mΩ@27A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：2.2V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：24nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.376nF@25V

连续漏极电流：54A€14A

类型：1个N沟道

导通电阻：7mΩ@27A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：2.2V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：24nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.376nF@25V

连续漏极电流：54A€14A

类型：1个N沟道

导通电阻：7mΩ@27A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：3V

栅极电荷：34nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：2A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：32000，"MI+"：2000}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：34nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：2A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：3V

栅极电荷：34nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：2A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：32000，"MI+"：2000}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：34nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：2A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：18900}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0704LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：1.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：11.3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0704LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：1.7V

栅极电荷：6.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：11.3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0704LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：1.7V

栅极电荷：6.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：11.3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：34nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：2A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT12N70F

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：32.5nC@10V

输入电容：1.82nF@25V

连续漏极电流：12A

类型：1个N沟道

反向传输电容：4.6pF@25V

导通电阻：800mΩ@10V，6A

漏源电压：700V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0704LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：1.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：11.3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：3V

栅极电荷：34nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：2A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：2.2V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：24nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.376nF@25V

连续漏极电流：54A€14A

类型：1个N沟道

导通电阻：7mΩ@27A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC097N06NS

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：2.1V

栅极电荷：15nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：46A

类型：MOSFET

导通电阻：8mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRF710PBF

工作温度：-55℃~150℃

功率：36W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：17nC@10V

包装方式：管件

输入电容：170pF@25V

连续漏极电流：2A

类型：N沟道

导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V

漏源电压：400V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：2.2V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：24nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.376nF@25V

连续漏极电流：54A€14A

类型：1个N沟道

导通电阻：7mΩ@27A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：2.2V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：24nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.376nF@25V

连续漏极电流：54A€14A

类型：1个N沟道

导通电阻：7mΩ@27A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：2.2V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：24nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.376nF@25V

连续漏极电流：54A€14A

类型：1个N沟道

导通电阻：7mΩ@27A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：2.2V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：24nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.376nF@25V

连续漏极电流：54A€14A

类型：1个N沟道

导通电阻：7mΩ@27A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：2.2V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：24nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.376nF@25V

连续漏极电流：54A€14A

类型：1个N沟道

导通电阻：7mΩ@27A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1