品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR826BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:2V
栅极电荷:69nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:80.8A
类型:MOSFET
导通电阻:5.1mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,3.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT105N10K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
输入电容:1.574nF@50V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.5mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR826BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:2V
栅极电荷:69nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:80.8A
类型:MOSFET
导通电阻:5.1mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD360N65S3T4G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@200μA
栅极电荷:16.8nC@10V
输入电容:756pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR826BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:2V
栅极电荷:69nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:80.8A
类型:MOSFET
导通电阻:5.1mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,3.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,3.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,3.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,3.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,3.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG50P03-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:111.7nC@10V
输入电容:6.464nF@15V
连续漏极电流:50A
类型:1个P沟道
导通电阻:6.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":93590,"20+":643,"9999":148,"MI+":2880}
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R145CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:16A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":93590,"20+":643,"9999":148,"MI+":2880}
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R145CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:16A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG50P03-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:111.7nC@10V
输入电容:6.464nF@15V
连续漏极电流:50A
类型:1个P沟道
导通电阻:6.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR826BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:2V
栅极电荷:69nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:80.8A
类型:MOSFET
导通电阻:5.1mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,3.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,3.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: