品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.57nF@75V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.57nF@75V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDS86240
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功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.57nF@75V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDS86240
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功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
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输入电容:2.57nF@75V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:150V
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDS86240
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阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
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输入电容:2.57nF@75V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:150V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDS86240
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类型:1个N沟道
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDS86240
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栅极电荷:40nC@10V
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输入电容:2.57nF@75V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:150V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDS86240
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连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
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连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.57nF@75V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.57nF@75V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.57nF@75V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
功率:2.5W€5W
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.57nF@75V
漏源电压:150V
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86240
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.57nF@75V
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250μA
功率:2.5W€5W
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.57nF@75V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.57nF@75V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.57nF@75V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.57nF@75V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.57nF@75V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.57nF@75V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.57nF@75V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.57nF@75V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:846pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DDY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:1.35nF@15V
连续漏极电流:11.4A
阈值电压:3V@250μA
导通电阻:24mΩ@10V,9.1A
功率:2.5W€5W
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: