品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:540mW
阈值电压:400mV@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
输入电容:83pF@24V
连续漏极电流:850mA
类型:1个N沟道
导通电阻:500mΩ@2.5V,500mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:540mW
阈值电压:400mV@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
输入电容:83pF@24V
连续漏极电流:850mA
类型:1个N沟道
导通电阻:500mΩ@2.5V,500mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH103,215
工作温度:-55℃~+150℃
功率:540mW
阈值电压:400mV@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@24V
连续漏极电流:850mA
类型:1个N沟道
导通电阻:500mΩ@2.5V,500mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:540mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:850pC@4.5V
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@4.5V,200mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:540mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:850pC@4.5V
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@4.5V,200mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:540mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:850pC@4.5V
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@4.5V,200mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2402TRPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:540mW
阈值电压:700mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@15V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@4.5V,930mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH103,215
栅极电荷:2.1nC@4.5V
导通电阻:500mΩ@2.5V,500mA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:850mA
功率:540mW
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:400mV@1mA
输入电容:83pF@24V
包装清单:商品主体 * 1
库存: