品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.8V@1mA
栅极电荷:3.65nC@10V
输入电容:72pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:1个N沟道
导通电阻:8.5Ω@10V,500mA
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.8V@1mA
栅极电荷:3.65nC@10V
输入电容:72pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:1个N沟道
导通电阻:8.5Ω@10V,500mA
漏源电压:250V
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