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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM7002-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：260pC@4.5V
输入电容：14.4pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.27pF@25V
导通电阻：3.7Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM7002-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：260pC@4.5V
输入电容：14.4pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.27pF@25V
导通电阻：3.7Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
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功率：830mW
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连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：WNM7002-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：260pC@4.5V
输入电容：14.4pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.27pF@25V
导通电阻：3.7Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM7002-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：260pC@4.5V
输入电容：14.4pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.27pF@25V
导通电阻：3.7Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
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导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
阈值电压：950mV@250μA
连续漏极电流：4.6A
输入电容：118pF@10V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
漏源电压：20V
栅极电荷：8.2nC@8V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
阈值电压：950mV@250μA
连续漏极电流：4.6A
输入电容：118pF@10V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
漏源电压：20V
栅极电荷：8.2nC@8V
类型：1个P沟道
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：900mV@400μA
栅极电荷：28nC@4.5V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道
导通电阻：21mΩ@4.5V，5.8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@1mA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：900mV@400μA
栅极电荷：28nC@4.5V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道
导通电阻：21mΩ@4.5V，5.8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：21mΩ@4.5V，5.8A
阈值电压：900mV@400μA
漏源电压：12V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：2个P沟道
功率：830mW
栅极电荷：28nC@4.5V
连续漏极电流：4.9A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
