采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：175mΩ@6.6A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：175mΩ@6.6A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
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功率：38W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：175mΩ@10V，6.6A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：175mΩ@6.6A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：175mΩ@10V，6.6A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
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功率：38W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：175mΩ@10V，6.6A
漏源电压：55V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
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品牌：INFINEON
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阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：175mΩ@6.6A，10V
漏源电压：55V
功率：38W
连续漏极电流：11A
输入电容：350pF@25V
类型：1个P沟道
栅极电荷：19nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF10N20C
类型：1个N沟道
栅极电荷：26nC@10V
阈值电压：4V@250μA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
连续漏极电流：9.5A
输入电容：510pF@25V
ECCN：EAR99
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQPF10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
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销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：175mΩ@10V，6.6A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：175mΩ@6.6A，10V
漏源电压：55V
功率：38W
连续漏极电流：11A
输入电容：350pF@25V
类型：1个P沟道
栅极电荷：19nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：55V
功率：38W
连续漏极电流：11A
导通电阻：175mΩ@10V，6.6A
输入电容：350pF@25V
类型：1个P沟道
栅极电荷：19nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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