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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STHU32N65DM6AG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：52.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.211nF@100V
连续漏极电流：37A
类型：1个N沟道
导通电阻：97mΩ@18.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STO65N60DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：65.2nC@10V
输入电容：2.5nF@100V
连续漏极电流：46A
类型：1个N沟道
导通电阻：76mΩ@23A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STO65N60DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：65.2nC@10V
输入电容：2.5nF@100V
连续漏极电流：46A
类型：1个N沟道
导通电阻：76mΩ@23A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STO65N60DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：65.2nC@10V
输入电容：2.5nF@100V
连续漏极电流：46A
类型：1个N沟道
导通电阻：76mΩ@23A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STO65N60DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：65.2nC@10V
输入电容：2.5nF@100V
连续漏极电流：46A
类型：1个N沟道
导通电阻：76mΩ@23A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD25N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：3.5nF@25V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：180mΩ@10V，12.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD25N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：3.5nF@25V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：180mΩ@10V，12.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：MD25N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：3.5nF@25V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：180mΩ@10V，12.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STO65N60DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：65.2nC@10V
输入电容：2.5nF@100V
连续漏极电流：46A
类型：1个N沟道
导通电阻：76mΩ@23A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STO65N60DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：65.2nC@10V
输入电容：2.5nF@100V
连续漏极电流：46A
类型：1个N沟道
导通电阻：76mΩ@23A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STHU32N65DM6AG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：52.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.211nF@100V
连续漏极电流：37A
类型：1个N沟道
导通电阻：97mΩ@18.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STHU32N65DM6AG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：52.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.211nF@100V
连续漏极电流：37A
类型：1个N沟道
导通电阻：97mΩ@18.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD25N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：3.5nF@25V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：180mΩ@10V，12.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STHU32N65DM6AG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：52.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.211nF@100V
连续漏极电流：37A
类型：1个N沟道
导通电阻：97mΩ@18.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STHU32N65DM6AG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：52.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.211nF@100V
连续漏极电流：37A
类型：1个N沟道
导通电阻：97mΩ@18.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STHU32N65DM6AG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：52.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.211nF@100V
连续漏极电流：37A
类型：1个N沟道
导通电阻：97mΩ@18.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STHU32N65DM6AG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：52.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.211nF@100V
连续漏极电流：37A
类型：1个N沟道
导通电阻：97mΩ@18.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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