首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    工作温度
    功率
    行业应用
    阈值电压
    栅极电荷
    漏源电压
    连续漏极电流
    工作温度: -55℃~+150℃
    功率: 2.3W
    当前匹配商品:8
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订数1000个
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订数1000个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936CDY-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936CDY-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:9nC@10V

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:40mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订数100个
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订数100个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8680 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8680 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8680

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:2V

    栅极电荷:73nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:16A

    类型:MOSFET

    导通电阻:4.7mΩ

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订数500个
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订数500个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936CDY-T1-GE3 起订数2500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936CDY-T1-GE3 起订数2500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:9nC@10V

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:40mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8680 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8680 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8680

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:2V

    栅极电荷:73nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:16A

    类型:MOSFET

    导通电阻:4.7mΩ

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订数100个
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订数100个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    输入电容:340pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:1个N沟道

    连续漏极电流:5A

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    阈值电压:1.8V@250μA

    功率:2.3W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧