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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2053UFDBQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容：369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流：3.1A€4.6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V€75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
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连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
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功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
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连续漏极电流：5.5A
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导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMC2053UFDBQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容：369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流：3.1A€4.6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V€75mΩ@3.5A，4.5V
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功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
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输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMC2053UFDBQ-7
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功率：820mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容：369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流：3.1A€4.6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V€75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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功率：820mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.7nC@8V€7.7nC@10V
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连续漏极电流：3.1A€4.6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V€75mΩ@3.5A，4.5V
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功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
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输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMC2053UFDBQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容：369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流：3.1A€4.6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V€75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：820mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.7nC@8V€7.7nC@10V
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连续漏极电流：3.1A€4.6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V€75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2053UFDBQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容：369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流：3.1A€4.6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V€75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2053UFDBQ-7
栅极电荷：12.7nC@8V€7.7nC@10V
连续漏极电流：3.1A€4.6A
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V€75mΩ@3.5A，4.5V
功率：820mW
输入电容：369pF@10V€440pF@10V
阈值电压：1V@250μA
类型：1个N沟道+1个P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：902.7pF@25V
连续漏极电流：9.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@10V，8A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：902.7pF@25V
连续漏极电流：9.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@10V，8A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2053UFDBQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容：369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流：3.1A€4.6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V€75mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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