品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:2.855nF@15V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10V,14.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
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功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:2.855nF@15V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10V,14.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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导通电阻:7.2mΩ@10V,14.8A
漏源电压:30V
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连续漏极电流:18A
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栅极电荷:42nC@10V
阈值电压:3V@250μA
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导通电阻:7.2mΩ@10V,14.8A
漏源电压:30V
输入电容:2.855nF@15V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
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栅极电荷:42nC@10V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
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