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销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@50μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：237pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：45pF@10V
导通电阻：55mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@50μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：237pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：45pF@10V
导通电阻：55mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：156mΩ@3A，10V
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：511pF@15V
类型：1个N沟道
栅极电荷：4.3nC@4.5V
漏源电压：60V
功率：1.25W
连续漏极电流：3A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
