品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFW8N120K5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:5V@100μA
栅极电荷:13.7nC@10V
输入电容:505pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@2.5A,10V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT7N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:28nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:12pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:131A
类型:MOSFET
导通电阻:1.63mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT060N04T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:1.301nF@20V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT7N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:28nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:12pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT7N65AF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:16pF@25V
导通电阻:1.1Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT7N65AF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:16pF@25V
导通电阻:1.1Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT7N65AF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:16pF@25V
导通电阻:1.1Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:131A
类型:MOSFET
导通电阻:1.63mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0902NS
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:2V
栅极电荷:26nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:106A
类型:MOSFET
导通电阻:2.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT060N04T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:1.301nF@20V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFW8N120K5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:5V@100μA
栅极电荷:13.7nC@10V
输入电容:505pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@2.5A,10V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT7N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:28nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:12pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MD23N50
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:1.92nF@25V
连续漏极电流:23A
类型:1个N沟道
反向传输电容:18pF@25V
导通电阻:220mΩ@10V,10A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:131A
类型:MOSFET
导通电阻:1.63mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT7N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:28nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:12pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:131A
类型:MOSFET
导通电阻:1.63mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJA22DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:2.2V
栅极电荷:83nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:201A
类型:MOSFET
导通电阻:740μΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MD23N50
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:1.92nF@25V
连续漏极电流:23A
类型:1个N沟道
反向传输电容:18pF@25V
导通电阻:220mΩ@10V,10A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:131A
类型:MOSFET
导通电阻:1.63mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: