品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:38pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:38pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:38pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:700mA€500mA
类型:N和P沟道
导通电阻:390mΩ@700mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:38pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:38pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:38pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:38pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:38pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:38pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:38pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:38pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:38pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:700mA€500mA
类型:N和P沟道
导通电阻:390mΩ@700mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:38pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:38pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:38pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: