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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.774nF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17507Q5AT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:1.1V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:65A

    类型:MOSFET

    导通电阻:10.8mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17507Q5AT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:1.1V

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    包装方式:Reel

    连续漏极电流:65A

    类型:MOSFET

    导通电阻:10.8mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17507Q5AT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:1.1V

    栅极电荷:2.8nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:65A

    类型:MOSFET

    导通电阻:10.8mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17507Q5AT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

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    包装方式:Reel

    连续漏极电流:65A

    类型:MOSFET

    导通电阻:10.8mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订25个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订25个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17507Q5AT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:1.1V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:65A

    类型:MOSFET

    导通电阻:10.8mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

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    包装方式:管件

    输入电容:2.774nF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.774nF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17507Q5AT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC

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    连续漏极电流:65A

    类型:MOSFET

    导通电阻:10.8mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17507Q5AT

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    功率:39W

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    ECCN:EAR99

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    类型:MOSFET

    导通电阻:10.8mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17507Q5AT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:1.1V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:65A

    类型:MOSFET

    导通电阻:10.8mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17507Q5AT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

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    连续漏极电流:65A

    类型:MOSFET

    导通电阻:10.8mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

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    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17507Q5AT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:1.1V

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    栅极电荷:2.8nC

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    连续漏极电流:65A

    类型:MOSFET

    导通电阻:10.8mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17507Q5AT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:1.1V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC

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    连续漏极电流:65A

    类型:MOSFET

    导通电阻:10.8mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3

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    功率:39W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.774nF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.774nF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

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    谷峰 Mosfet场效应管 G65P06F 起订8个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G65P06F 起订8个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G65P06F

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:75nC@10V

    输入电容:6.477nF@25V

    连续漏极电流:65A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:13mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:650V

    阈值电压:4V@250μA

    功率:39W

    包装方式:管件

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    栅极电荷:122nC@10V

    输入电容:2.774nF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD17507Q5AT

    连续漏极电流:65A

    漏源电压:30V

    包装方式:Reel

    阈值电压:1.1V

    功率:39W

    工作温度:-55℃~+150℃

    栅极电荷:2.8nC

    导通电阻:10.8mΩ

    类型:MOSFET

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.774nF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17507Q5AT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:1.1V

    栅极电荷:2.8nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:65A

    类型:MOSFET

    导通电阻:10.8mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NC1R5CH C5G 起订数525个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NC1R5CH C5G 起订数525个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:7.6nC@10V

    输入电容:242pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF190N60E 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF190N60E 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:82nC@10V

    输入电容:3.175nF@25V

    连续漏极电流:20.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@10V,10A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF190N60E 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF190N60E 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:82nC@10V

    输入电容:3.175nF@25V

    连续漏极电流:20.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@10V,10A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G65P06F 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G65P06F 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G65P06F

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:75nC@10V

    输入电容:6.477nF@25V

    连续漏极电流:65A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:13mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.774nF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF190N60E 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF190N60E 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:82nC@10V

    输入电容:3.175nF@25V

    连续漏极电流:20.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@10V,10A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.774nF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NC1R5CH C5G 起订数150个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NC1R5CH C5G 起订数150个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:7.6nC@10V

    输入电容:242pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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