品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.774nF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.774nF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.774nF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.774nF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.774nF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.774nF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G65P06F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
输入电容:6.477nF@25V
连续漏极电流:65A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
漏源电压:650V
阈值电压:4V@250μA
功率:39W
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:156mΩ@12A,10V
栅极电荷:122nC@10V
输入电容:2.774nF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
连续漏极电流:65A
漏源电压:30V
包装方式:Reel
阈值电压:1.1V
功率:39W
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:2.8nC
导通电阻:10.8mΩ
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.774nF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:7.6nC@10V
输入电容:242pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:82nC@10V
输入电容:3.175nF@25V
连续漏极电流:20.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:82nC@10V
输入电容:3.175nF@25V
连续漏极电流:20.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G65P06F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
输入电容:6.477nF@25V
连续漏极电流:65A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.774nF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:82nC@10V
输入电容:3.175nF@25V
连续漏极电流:20.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.774nF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:7.6nC@10V
输入电容:242pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: