销售单位：个

规格型号(MPN)：G20N03K

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：18nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：923pF@15V

连续漏极电流：30A

类型：1个N沟道

反向传输电容：94pF@15V

导通电阻：12mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SPA11N65C3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：3.9V

栅极电荷：45nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：11A

类型：MOSFET

导通电阻：380mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G20N03K

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：18nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：923pF@15V

连续漏极电流：30A

类型：1个N沟道

反向传输电容：94pF@15V

导通电阻：12mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G20N03K

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：18nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：923pF@15V

连续漏极电流：30A

类型：1个N沟道

反向传输电容：94pF@15V

导通电阻：12mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G20N03K

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：18nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：923pF@15V

连续漏极电流：30A

类型：1个N沟道

反向传输电容：94pF@15V

导通电阻：12mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G20N03K

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：18nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：923pF@15V

连续漏极电流：30A

类型：1个N沟道

反向传输电容：94pF@15V

导通电阻：12mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDPF190N15A

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：39nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.685nF@25V

连续漏极电流：27.4A

类型：1个N沟道

导通电阻：19mΩ@27.4A，10V

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

类型：MOSFET

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

类型：MOSFET

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA95R130PFD7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：141nC

包装方式：管件

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：130mΩ

漏源电压：950V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

类型：MOSFET

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA95R130PFD7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：141nC

包装方式：管件

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：130mΩ

漏源电压：950V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA95R130PFD7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：141nC

包装方式：管件

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：130mΩ

漏源电压：950V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G20N03K

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：18nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：923pF@15V

连续漏极电流：30A

类型：1个N沟道

反向传输电容：94pF@15V

导通电阻：12mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G26N02K

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：700mV@250μA

栅极电荷：26nC@4.5V

输入电容：777pF@10V

连续漏极电流：26A

类型：1个N沟道

反向传输电容：140pF@10V

导通电阻：9mΩ@4.5V，3A

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDPF190N15A

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：39nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.685nF@25V

连续漏极电流：27.4A

类型：1个N沟道

导通电阻：19mΩ@27.4A，10V

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDPF190N15A

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：39nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.685nF@25V

连续漏极电流：27.4A

类型：1个N沟道

导通电阻：19mΩ@27.4A，10V

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G20N03K

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：18nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：923pF@15V

连续漏极电流：30A

类型：1个N沟道

反向传输电容：94pF@15V

导通电阻：12mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G20N03K

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：18nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：923pF@15V

连续漏极电流：30A

类型：1个N沟道

反向传输电容：94pF@15V

导通电阻：12mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G20N03K

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：18nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：923pF@15V

连续漏极电流：30A

类型：1个N沟道

反向传输电容：94pF@15V

导通电阻：12mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1