品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP89 H6327
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.4V
栅极电荷:6.4nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:350mA
类型:MOSFET
导通电阻:4.2Ω
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@170μA
栅极电荷:6.4nC@10V
输入电容:146pF@25V
连续漏极电流:680mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.8Ω@680mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:20.4nC@10V
输入电容:1.063nF@30V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个N沟道
导通电阻:50mΩ@10V,3.6A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G06P01E
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:14nC@4.5V
输入电容:1.087nF@6V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:28mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP372N H6327
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.4V
栅极电荷:9.5nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:1.8A
类型:MOSFET
导通电阻:172mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G06P01E
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:14nC@4.5V
输入电容:1.087nF@6V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:28mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:13.9nC@10V
输入电容:674pF@20V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道
导通电阻:50mΩ@10V,6A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:13.9nC@10V
输入电容:674pF@20V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道
导通电阻:50mΩ@10V,6A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@170μA
栅极电荷:6.4nC@10V
输入电容:146pF@25V
连续漏极电流:680mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.8Ω@680mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G06P01E
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:14nC@4.5V
输入电容:1.087nF@6V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:28mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G06P01E
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:14nC@4.5V
输入电容:1.087nF@6V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:28mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G06P01E
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:14nC@4.5V
输入电容:1.087nF@6V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:28mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: