首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌: DIODES
    工作温度: -55℃~+150℃
    功率: 625mW
    当前匹配商品:20+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:3.5nC@10V

    输入电容:141pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1Ω@10V,600mA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订数12000个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订数12000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:600mΩ@4.5V,610mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订数50个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订数50个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:3.5nC@10V

    输入电容:141pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1Ω@10V,600mA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3306A 起订数8000个
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3306A 起订数8000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    输入电容:35pF@18V

    连续漏极电流:270mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订数6000个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订数6000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:3.5nC@10V

    输入电容:141pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1Ω@10V,600mA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订数9000个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订数9000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:3.5nC@10V

    输入电容:141pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1Ω@10V,600mA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订数25个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订数25个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:3.5nC@10V

    输入电容:141pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1Ω@10V,600mA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 达林顿管 FMMT634TA 起订数54000个
    DIODES 达林顿管 FMMT634TA 起订数54000个

    品牌:DIODES

    分类:达林顿管

    销售单位:

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):900mA

    功率:625mW

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    特征频率:140MHz

    工作温度:-55℃~+150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):960mV@1A,5mA

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@5V,100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订数9000个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订数9000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250μA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@4.5V,4A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订数12000个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订数12000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250μA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@4.5V,4A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA 起订数12000个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA 起订数12000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:3.2nC@10V

    输入电容:166pF@40V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA 起订数9000个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA 起订数9000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:3.2nC@10V

    输入电容:166pF@40V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P03FTA 起订数303000个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P03FTA 起订数303000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.8nC@10V

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:350mΩ@10V,600mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订数10个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订数10个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:3.5nC@10V

    输入电容:141pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1Ω@10V,600mA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 达林顿管 FMMT634TA 起订数6000个
    DIODES 达林顿管 FMMT634TA 起订数6000个

    品牌:DIODES

    分类:达林顿管

    销售单位:

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):900mA

    功率:625mW

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    特征频率:140MHz

    工作温度:-55℃~+150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):960mV@1A,5mA

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@5V,100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 达林顿管 FMMT634TA 起订数54000个
    DIODES 达林顿管 FMMT634TA 起订数54000个

    品牌:DIODES

    分类:达林顿管

    销售单位:

    集电极电流(Ic):900mA

    特征频率:140MHz

    功率:625mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):960mV@1A,5mA

    晶体管类型:NPN

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@5V,100mA

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    工作温度:-55℃~+150℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    阈值电压:4V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:1Ω@10V,600mA

    功率:625mW

    栅极电荷:3.5nC@10V

    类型:1个P沟道

    连续漏极电流:600mA

    漏源电压:100V

    输入电容:141pF@50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订数600个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订数600个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:600mΩ@4.5V,610mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3306A 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3306A 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    输入电容:50pF@18V

    连续漏极电流:160mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14Ω@10V,200mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07FTA 起订数1200个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07FTA 起订数1200个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:2.9nC@10V

    输入电容:138pF@50V

    连续漏极电流:700mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:700mΩ@10V,1.5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA 起订数3000个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA 起订数3000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:3.2nC@10V

    输入电容:166pF@40V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA 起订数7500个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA 起订数7500个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:3.2nC@10V

    输入电容:166pF@40V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FQTA 起订数6000个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FQTA 起订数6000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:1.8nC@5V

    输入电容:141pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1Ω@600mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N03FTA 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N03FTA 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.1nC@10V

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:220mΩ@10V,910mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N03FTA 起订数15000个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N03FTA 起订数15000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.1nC@10V

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:220mΩ@10V,910mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FQTA 起订数6000个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FQTA 起订数6000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    阈值电压:4V@250μA

    导通电阻:1Ω@600mA,10V

    工作温度:-55℃~+150℃

    栅极电荷:1.8nC@5V

    功率:625mW

    类型:1个P沟道

    连续漏极电流:600mA

    漏源电压:100V

    输入电容:141pF@50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧