品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1225pF@6V
连续漏极电流:7.1A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1225pF@6V
连续漏极电流:7.1A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:1.295nF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:29mΩ@10V,5.4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:5.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@10V,4.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:5.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@10V,4.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:1.295nF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:29mΩ@10V,5.4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:1.295nF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:29mΩ@10V,5.4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):Si2343CDS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:1.25W€2.5W
连续漏极电流:5.9A
栅极电荷:21nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:45mΩ@10V,4.2A
输入电容:590pF@15V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: