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    功率: 480mW
    当前匹配商品:50+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDG330P 起订972个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG330P 起订972个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":30040}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG330P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:477pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:700pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:700pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG330P 起订数5000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG330P 起订数5000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    输入电容:477pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:700pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215 起订数729000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215 起订数729000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    输入电容:744pF@20V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:74mΩ@4.5V,2.8A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:700pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG330P 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG330P 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG330P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:477pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订92个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订92个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:700pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订75个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订75个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订64个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订64个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG330P 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG330P 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    输入电容:477pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG330P 起订972个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG330P 起订972个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG330P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:477pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订80个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订80个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310U-7

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    类型:1个N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    栅极电荷:700pC@4.5V

    阈值电压:950mV@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:1.6A

    功率:480mW

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310U-7

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    类型:1个N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    栅极电荷:700pC@4.5V

    阈值电压:950mV@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:1.6A

    功率:480mW

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:700pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG330P 起订807个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG330P 起订807个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG330P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:477pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:700pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4170NT1G 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4170NT1G 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:4.76nC@4.5V

    输入电容:432pF@15V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:55mΩ@10V,3.2A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4170NT1G 起订数25个
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4170NT1G 起订数25个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:4.76nC@4.5V

    输入电容:432pF@15V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:55mΩ@10V,3.2A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4170NT1G 起订数250个
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4170NT1G 起订数250个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:4.76nC@4.5V

    输入电容:432pF@15V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:55mΩ@10V,3.2A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4170NT1G 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4170NT1G 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:4.76nC@4.5V

    输入电容:432pF@15V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:55mΩ@10V,3.2A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4170NT1G 起订数3000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4170NT1G 起订数3000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:4.76nC@4.5V

    输入电容:432pF@15V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:55mΩ@10V,3.2A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215 起订数75000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215 起订数75000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    输入电容:744pF@20V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:74mΩ@4.5V,2.8A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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