采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ180P03NS3E G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：3.1V
栅极电荷：30nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：39.6A
类型：MOSFET
导通电阻：13.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：500μA
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@1.5A，30mA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，1.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25.4nC@10V
输入电容：1.342nF@15V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：9.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5.9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF40NF20
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N120K5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：5V@100μA
栅极电荷：44.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@6A，10V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：95mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：95mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V
栅极电荷：58nC
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：95mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V
栅极电荷：58nC
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：95mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V
栅极电荷：58nC
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：95mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620PBF-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：3.5A
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：868pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：30pF@25V
导通电阻：1.38Ω@10V，3.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT3390J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：81.3nC@10V
输入电容：4.222nF@15V
连续漏极电流：30A
类型：1个P沟道
反向传输电容：448.6pF@15V
导通电阻：7.4mΩ@10V，15A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G15N06K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：763pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：37pF@30V
导通电阻：31mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25.4nC@10V
输入电容：1.342nF@15V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25.4nC@10V
输入电容：1.342nF@15V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：100μA
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.8V@2A，40mA
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25.4nC@10V
输入电容：1.342nF@15V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：500μA
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@1.5A，30mA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，1.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：2.5nF@25V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：78pF@25V
导通电阻：38mΩ@10V，20A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25.4nC@10V
输入电容：1.342nF@15V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF40NF20
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD681G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：2.5nF@25V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：78pF@25V
导通电阻：38mΩ@10V，20A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：9.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5.9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V
栅极电荷：58nC
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：95mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5A80E，S4X
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：5A
类型：MOSFET
导通电阻：2.4Ω
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N120K5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：5V@100μA
栅极电荷：44.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@6A，10V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT3390J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：81.3nC@10V
输入电容：4.222nF@15V
连续漏极电流：30A
类型：1个P沟道
反向传输电容：448.6pF@15V
导通电阻：7.4mΩ@10V，15A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
