品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:4.1nC@10V
输入电容:206pF@30V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:350mΩ@10V,900mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:4.1nC@10V
输入电容:206pF@30V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:350mΩ@10V,900mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:720mW
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:860pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:26.5mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:4.1nC@10V
输入电容:206pF@30V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:350mΩ@10V,900mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:4.1nC@10V
输入电容:206pF@30V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:350mΩ@10V,900mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:720mW
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:860pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:26.5mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:720mW
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:860pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:26.5mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:720mW
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:860pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:26.5mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:4.1nC@10V
输入电容:206pF@30V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:350mΩ@10V,900mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:720mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:9.2nC@10V
输入电容:386pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:720mW
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:860pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:26.5mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:720mW
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:5.8A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:860pF@15V
导通电阻:26.5mΩ@10V,5.8A
包装清单:商品主体 * 1
库存: