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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3400L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM3400
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
输入电容：823pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：77pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM3400
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
输入电容：823pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：77pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3400L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3400L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3400L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM3400
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
输入电容：823pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：77pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM3400
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
输入电容：823pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：77pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTN2310A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：23pF@25V
导通电阻：71mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM3400
连续漏极电流：5.8A
功率：1.4W
漏源电压：30V
输入电容：823pF@15V
反向传输电容：77pF@15V
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，5.8A
栅极电荷：9.7nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTN2310A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：23pF@25V
导通电阻：71mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTN2310A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：23pF@25V
导通电阻：71mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS62934
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@250μA
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@10V，2A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3424
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
输入电容：270pF@15V
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
连续漏极电流：3.8A
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
