采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP340PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6.6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G90P04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：97nC@10V
输入电容：6.331nF@60V
连续漏极电流：90A
类型：1个P沟道
反向传输电容：612pF@60V
导通电阻：5.8mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，12A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP340PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6.6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，12A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G90P04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：97nC@10V
输入电容：6.331nF@60V
连续漏极电流：90A
类型：1个P沟道
反向传输电容：612pF@60V
导通电阻：5.8mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL33N60M6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：3.25V
栅极电荷：33.4nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：21A
类型：MOSFET
导通电阻：137mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL33N60M6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：3.25V
栅极电荷：33.4nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：21A
类型：MOSFET
导通电阻：137mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G90P04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：97nC@10V
输入电容：6.331nF@60V
连续漏极电流：90A
类型：1个P沟道
反向传输电容：612pF@60V
导通电阻：5.8mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
栅极电荷：60nC@10V
反向传输电容：190pF@25V
漏源电压：900V
类型：1个N沟道
功率：150W
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
阈值电压：4V@1mA
导通电阻：1Ω@10V，4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFA4N100P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：6V
栅极电荷：26nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4A
类型：MOSFET
导通电阻：3.3Ω
漏源电压：1kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFA4N100P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：6V
栅极电荷：26nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4A
类型：MOSFET
导通电阻：3.3Ω
漏源电压：1kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFA4N100P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：6V
栅极电荷：26nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4A
类型：MOSFET
导通电阻：3.3Ω
漏源电压：1kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFA4N100P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：6V
栅极电荷：26nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4A
类型：MOSFET
导通电阻：3.3Ω
漏源电压：1kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@100μA
栅极电荷：92nC@10V
输入电容：2.03nF@25V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@10V，4.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，7.2A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G90P04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：97nC@10V
输入电容：6.331nF@60V
连续漏极电流：90A
类型：1个P沟道
反向传输电容：612pF@60V
导通电阻：5.8mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，7.2A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，12A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G90P04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：97nC@10V
输入电容：6.331nF@60V
连续漏极电流：90A
类型：1个P沟道
反向传输电容：612pF@60V
导通电阻：5.8mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
