品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9407_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
输入电容:516pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:50mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9407_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
输入电容:516pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:50mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM4435
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
输入电容:1.25nF@15V
连续漏极电流:10A
类型:1个P沟道
反向传输电容:90pF@15V
导通电阻:16.5mΩ@10V,8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4463AP_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4463AP_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM4435
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
输入电容:1.25nF@15V
连续漏极电流:10A
类型:1个P沟道
反向传输电容:90pF@15V
导通电阻:16.5mΩ@10V,8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM4435
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
输入电容:1.25nF@15V
连续漏极电流:10A
类型:1个P沟道
反向传输电容:90pF@15V
导通电阻:16.5mΩ@10V,8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4463AP_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM4435
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
输入电容:1.25nF@15V
连续漏极电流:10A
类型:1个P沟道
反向传输电容:90pF@15V
导通电阻:16.5mΩ@10V,8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4463AP_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9407_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
输入电容:516pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:50mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9407_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
输入电容:516pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:50mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9407_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
输入电容:516pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:50mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9407_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
输入电容:516pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:50mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4463AP_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM4435
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
输入电容:1.25nF@15V
连续漏极电流:10A
类型:1个P沟道
反向传输电容:90pF@15V
导通电阻:16.5mΩ@10V,8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4463AP_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4463AP_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4463AP_R2_00001
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:68mΩ@6A,10V
功率:2.1W
栅极电荷:17nC@10V
漏源电压:60V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
输入电容:879pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: