品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG100N08
工作温度:-55℃~+150℃
功率:117W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:119nC@10V
输入电容:6.533nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:165pF@40V
导通电阻:5.8mΩ@10V,40A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG100N08
输入电容:6.533nF@40V
功率:117W
类型:1个N沟道
栅极电荷:119nC@10V
漏源电压:80V
阈值电压:3V@250μA
导通电阻:5.8mΩ@10V,40A
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:100A
反向传输电容:165pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R099P7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:117W
阈值电压:4V@530μA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.952nF@400V
连续漏极电流:31A
类型:1个N沟道
导通电阻:99mΩ@10.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R099P7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:117W
阈值电压:4V@530μA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.952nF@400V
连续漏极电流:31A
类型:1个N沟道
导通电阻:99mΩ@10.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R099P7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:117W
阈值电压:4V@530μA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.952nF@400V
连续漏极电流:31A
类型:1个N沟道
导通电阻:99mΩ@10.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R099P7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:117W
阈值电压:4V@530μA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.952nF@400V
连续漏极电流:31A
类型:1个N沟道
导通电阻:99mΩ@10.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R099P7ATMA1
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
功率:117W
类型:1个N沟道
连续漏极电流:31A
漏源电压:650V
输入电容:1.952nF@400V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:99mΩ@10.5A,10V
阈值电压:4V@530μA
包装清单:商品主体 * 1
库存: