采购热线 400-661-9010
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：540W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：3.33nF@25V
连续漏极电流：34A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，17A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：晶闸管
行业应用：其它
销售单位：个
规格型号(MPN)：CLA16E1200PN
断态峰值电压(Vdrm)：1.2kV
类型：1个单向可控硅
通态峰值电压(Vtm)：1.14V
保持电流(Ih)：60mA
工作温度：-55℃~+150℃
通态RMS电流(It(rms))：16A
门极触发电流(Igt)：30mA
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDH20N120
包装方式：Tube
集电极脉冲电流(Icm)：38A
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
类型：IGBT管
集电极电流(Ic)：2.4V
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：晶闸管
行业应用：其它
销售单位：个
规格型号(MPN)：CLA16E1200PN
断态峰值电压(Vdrm)：1.2kV
类型：1个单向可控硅
通态峰值电压(Vtm)：1.14V
保持电流(Ih)：60mA
工作温度：-55℃~+150℃
通态RMS电流(It(rms))：16A
门极触发电流(Igt)：30mA
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：540W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：3.33nF@25V
连续漏极电流：34A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，17A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTK210P10T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.04kW
阈值电压：4.5V
栅极电荷：740nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：210A
类型：MOSFET
导通电阻：7.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
栅极阈值电压(Vge(th))：2.5V@15V，30A
关断延迟时间：60ns
反向恢复时间：25ns
关断损耗：0.23mJ
开启延迟时间：19ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：77nC
类型：PT(穿通型)
导通损耗：0.41mJ
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDH20N120
包装方式：Tube
集电极脉冲电流(Icm)：38A
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
类型：IGBT管
集电极电流(Ic)：2.4V
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXBT14N300HV
ECCN：EAR99
包装方式：管件
栅极阈值电压(Vge(th))：2.7V@15V，14A
反向恢复时间：1.4μs
集电极截止电流(Ices)：3kV
栅极电荷：62nC
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
栅极阈值电压(Vge(th))：2.5V@15V，30A
关断延迟时间：60ns
反向恢复时间：25ns
关断损耗：0.23mJ
开启延迟时间：19ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：77nC
类型：PT(穿通型)
导通损耗：0.41mJ
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
栅极阈值电压(Vge(th))：2.5V@15V，30A
关断延迟时间：60ns
反向恢复时间：25ns
关断损耗：0.23mJ
开启延迟时间：19ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：77nC
类型：PT(穿通型)
导通损耗：0.41mJ
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH34N65X2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：540W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：3.33nF@25V
连续漏极电流：34A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，17A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：晶闸管
行业应用：其它
销售单位：个
规格型号(MPN)：CLA16E1200PN
断态峰值电压(Vdrm)：1.2kV
类型：1个单向可控硅
通态峰值电压(Vtm)：1.14V
保持电流(Ih)：60mA
工作温度：-55℃~+150℃
通态RMS电流(It(rms))：16A
门极触发电流(Igt)：30mA
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：晶闸管
行业应用：其它
销售单位：个
规格型号(MPN)：CLA16E1200PN
断态峰值电压(Vdrm)：1.2kV
类型：1个单向可控硅
通态峰值电压(Vtm)：1.14V
保持电流(Ih)：60mA
工作温度：-55℃~+150℃
通态RMS电流(It(rms))：16A
门极触发电流(Igt)：30mA
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：540W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：3.33nF@25V
连续漏极电流：34A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，17A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
栅极阈值电压(Vge(th))：2.5V@15V，30A
关断延迟时间：60ns
反向恢复时间：25ns
关断损耗：0.23mJ
开启延迟时间：19ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：77nC
类型：PT(穿通型)
导通损耗：0.41mJ
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.06nF@25V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：540W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：3.33nF@25V
连续漏极电流：34A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，17A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXGK100N170
ECCN：EAR99
包装方式：管件
栅极阈值电压(Vge(th))：3V@15V，100A
关断延迟时间：285ns
开启延迟时间：35ns
集电极截止电流(Ices)：1.7kV
栅极电荷：425nC
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDH20N120
包装方式：Tube
集电极脉冲电流(Icm)：38A
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
类型：IGBT管
集电极电流(Ic)：2.4V
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDH20N120
包装方式：Tube
集电极脉冲电流(Icm)：38A
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
类型：IGBT管
集电极电流(Ic)：2.4V
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH80N65X2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：890W
阈值电压：5.5V@4mA
栅极电荷：143nC@10V
输入电容：8.245nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，40A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ48N65X2M
工作温度：-55℃~+150℃
功率：70W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：76nC@10V
输入电容：4.3nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA3N120-TRL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：42nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3A
类型：MOSFET
导通电阻：4.5Ω
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXGA20N250HV
栅极阈值电压(Vge(th))：3.1V@15V，20A
集电极截止电流(Ices)：2.5kV
栅极电荷：53nC
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDH20N120
类型：IGBT管
集电极脉冲电流(Icm)：38A
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
集电极电流(Ic)：2.4V
工作温度：-55℃~+150℃
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：晶闸管
行业应用：其它
销售单位：个
规格型号(MPN)：CLA16E1200PN
通态峰值电压(Vtm)：1.14V
工作温度：-55℃~+150℃
断态峰值电压(Vdrm)：1.2kV
通态RMS电流(It(rms))：16A
类型：1个单向可控硅
门极触发电压(Vgt)：1.3V
保持电流(Ih)：60mA
门极触发电流(Igt)：30mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXBT14N300HV
工作温度：-55℃~+150℃
集电极截止电流(Ices)：3kV
栅极电荷：62nC
ECCN：EAR99
栅极阈值电压(Vge(th))：2.7V@15V，14A
包装方式：管件
反向恢复时间：1.4μs
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFA4N100P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：6V
栅极电荷：26nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4A
类型：MOSFET
导通电阻：3.3Ω
漏源电压：1kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFA4N100P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：6V
栅极电荷：26nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4A
类型：MOSFET
导通电阻：3.3Ω
漏源电压：1kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
