品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J377R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@10V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:93mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J130TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@10V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:25.8mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J36TU,LF
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:330mA
类型:P沟道
导通电阻:1.31Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J334R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:71mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J132TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@10V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1600ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€42W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@8.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R712MD,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:182nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10900pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.7mΩ@30A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N15AFU,LF
工作温度:150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13.5pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.6Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R712MD,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:182nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10900pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.7mΩ@30A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R50ANH1,LQ
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:92A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J334R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:71mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP86R203NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.3V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@15V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3300CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€57W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@75V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€61W
阈值电压:4V@500µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@40V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@17A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPCA8026(TE12L,Q,M
工作温度:150℃
功率:1.6W€45W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@10V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@23A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN11006NL,LQ
工作温度:150℃
功率:700mW€30W
阈值电压:2.5V@200µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@30V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN11003NL,LQ
工作温度:150℃
功率:700mW€19W
阈值电压:2.3V@100µA
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K504NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P35AFE,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J213FE(TE85L,F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:103mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J135TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:103mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH6400ENH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€57W
阈值电压:4V@300µA
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@6.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5P60W5,RVQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4.5V@230µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@300V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N7002KFU,LF
工作温度:150℃
功率:285mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:134mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:80W
阈值电压:3.7V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3R203NL,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€44W
阈值电压:2.3V@300µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@15V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@23.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: