品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRL035P03TR
工作温度:150℃
功率:320mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8MA4TCR
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@15V
连续漏极电流:9A€8A
类型:N和P沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E240GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€27.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRQ045P03HZGTR
工作温度:150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8MA3TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@15V€480pF@15V
连续漏极电流:7A€6A
类型:N和P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K4TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH100P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:12.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E050ATTCL
工作温度:150℃
功率:760mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8MA3TCR
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@15V
连续漏极电流:7A€5.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:29mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8MA2GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@15V€305pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N和P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E060ATTCR
工作温度:150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:25.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:26.4mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E170GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€23W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:17A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K3FRATB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8MA4TCR
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@15V
连续漏极电流:9A€8A
类型:N和P沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPCA8026(TE12L,Q,M
工作温度:150℃
功率:1.6W€45W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@10V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@23A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1E070RPTR
工作温度:150℃
功率:550mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P-Channel
导通电阻:17mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8J2TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:84mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RSF014N03TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N-Channel
导通电阻:240mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RMW200N03TB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:1914
销售单位:个
规格型号(MPN):RSC002P03T316
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:0.25A
类型:P-Channel
导通电阻:1.4Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ045N03HZGTR
工作温度:150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH090P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:15.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RSE002P03TL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8J5TR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:39mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E050ATTCL
工作温度:150℃
功率:760mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8M10FRATB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V€850pF@10V
连续漏极电流:7A€4.5A
类型:N和P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2731T146
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@100mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ035P03TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K1TB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:51mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: