品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF45N65M5
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3375pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@19.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004CNDTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP102-TL-H
工作温度:150℃
功率:40W
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:18.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":2299,"13+":2925,"15+":2599,"19+":18000,"20+":9868,"9999":2373}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP202-TL-H
工作温度:150℃
功率:40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF45N65M5
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3375pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@19.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZDX050N50
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:散装
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.43Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3564(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@1.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK16A60W,S4VX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:3.7V@790µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@300V
连续漏极电流:15.8A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BD677
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF42N60M2-EP
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2370pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:87mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BD678
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BD677
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF42N60M2-EP
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2370pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:87mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BD678
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK13A65U(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6009ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:535mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BD679
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BD680
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BD681
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R8010ANX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1750pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: