生产批次：{"19+"：2000，"21+"：990}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP61，115

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.25W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1316TL

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD678

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD678

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1316TL

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV48，115

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV28，115

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1316TL

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP107

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STD01P

集射极击穿电压(Vceo)：150V

集电极电流(Ic)：10A

功率：100W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@6mA，6A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@6A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1316TL

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP62，115

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.25W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD680

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP60，115

集射极击穿电压(Vceo)：45V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.25W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BDW94CFTU

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：12A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP137

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@30mA，6A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB852KT146B

集射极击穿电压(Vceo)：32V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@400µA，200mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1351

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：12A

功率：30W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：130MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，10A

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@10A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PMBTA64，215

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST62，115

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV28，115

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV28，115

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD678

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST62，115

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PMBTA64，215

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP147TU

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP127

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：5A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@20mA，5A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP125

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：5A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@20mA，5A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1