品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP57N65M5
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@100V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@21A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6509ENJTL
工作温度:150℃
功率:94W
阈值电压:4V@230µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:585mΩ@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF45N65M5
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3375pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@19.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK560P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB28N65M2
工作温度:150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK28V65W5,LQ
工作温度:150℃
功率:240W
阈值电压:4.5V@1.6mA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@300V
连续漏极电流:27.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@13.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK28V65W5,LQ
工作温度:150℃
功率:240W
阈值电压:4.5V@1.6mA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@300V
连续漏极电流:27.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@13.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU13N65M2
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW28N65M2
工作温度:150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1440pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13N65M2
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13N65M2
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP15N65M5
工作温度:150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:810pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF45N65M5
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3375pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@19.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB57N65M5
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@100V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@21A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17V65W,LQ
工作温度:150℃
功率:156W
阈值电压:3.5V@900µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@8.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.43Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N65K3
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@50V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD18N65M5
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:1125
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW77N65M5
工作温度:150℃
功率:400W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9800pF@100V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@34.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF21N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF12N65M5
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:900pF@100V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@4.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF15N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA45N65M5
工作温度:150℃
功率:210W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3470pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@17.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK8A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:840mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW88N65M5-4
工作温度:150℃
功率:450W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:204nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8825pF@100V
连续漏极电流:84A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@42A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW38N65M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL18N65M2
工作温度:150℃
功率:57W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:764pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:365mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11N65M5
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:644pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@4.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: