采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RMW200N03TB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD201N10TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD201N10TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD201N10TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD201N10TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
