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    工作温度: 150℃
    行业应用: 工业
    连续漏极电流: 20A
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    ROHM Mosfet场效应管 RMW200N03TB 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RMW200N03TB 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RMW200N03TB

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH8R903NL,LQ 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH8R903NL,LQ 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€24W

    阈值电压:2.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020FNJTL 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020FNJTL 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020FNJTL

    工作温度:150℃

    功率:304W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB28N65M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB28N65M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB28N65M2

    工作温度:150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN8R903NL,LQ 起订4个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN8R903NL,LQ 起订4个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN8R903NL,LQ

    工作温度:150℃

    功率:700mW€22W

    阈值电压:2.3V@100µA

    栅极电荷:9.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM14N956L,EFF 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM14N956L,EFF 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF

    工作温度:150℃

    功率:1.33W

    阈值电压:1.4V@1.57mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20V60W5,LVQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20V60W5,LVQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK20V60W5,LVQ

    工作温度:150℃

    功率:156W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@300V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P200SNFRATL 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P200SNFRATL 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P200SNFRATL

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0349DSP-00#J0 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0349DSP-00#J0 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0349DSP-00#J0

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3850pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E200BNTB 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E200BNTB 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E200BNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH8R903NL,LQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH8R903NL,LQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€24W

    阈值电压:2.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN8R903NL,LQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN8R903NL,LQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN8R903NL,LQ

    工作温度:150℃

    功率:700mW€22W

    阈值电压:2.3V@100µA

    栅极电荷:9.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM14N956L,EFF 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM14N956L,EFF 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF

    工作温度:150℃

    功率:1.33W

    阈值电压:1.4V@1.57mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM14N956L,EFF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM14N956L,EFF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF

    工作温度:150℃

    功率:1.33W

    阈值电压:1.4V@1.57mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P200SNTL1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P200SNTL1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P200SNTL1

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P200SNTL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P200SNTL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P200SNTL1

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E200BNTB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E200BNTB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E200BNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ687-ZK-E1-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ687-ZK-E1-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ687-ZK-E1-AY

    工作温度:150℃

    功率:1W€36W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E200BNTB 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E200BNTB 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E200BNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订2000个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订2000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ANJTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ANJTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020ANJTL

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2040pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20V60W5,LVQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20V60W5,LVQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK20V60W5,LVQ

    工作温度:150℃

    功率:156W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@300V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN6R303NC,LQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN6R303NC,LQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN6R303NC,LQ

    工作温度:150℃

    功率:700mW€19W

    阈值电压:2.3V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P200SNTL1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P200SNTL1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P200SNTL1

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM14N956L,EFF 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM14N956L,EFF 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF

    工作温度:150℃

    功率:1.33W

    阈值电压:1.4V@1.57mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P200SNFRATL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P200SNFRATL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P200SNFRATL

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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