包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW28N65M2
工作温度:150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1440pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20A60W5,S5VX
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF26NM60N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":721}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3707-1E
工作温度:150℃
功率:2W€25W
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF26NM60N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF26NM60N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NM60FP
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NM50FD
工作温度:150℃
功率:214W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1380pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF28N65M2
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1440pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENZC17
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6520KNX3C16
工作温度:150℃
功率:220W
阈值电压:5V@630µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:205mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENZC17
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6520ENXC7G
工作温度:150℃
功率:68W
阈值电压:4V@630µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:205mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF26NM60N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NM60FP
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2106
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6520KNX3C16
工作温度:150℃
功率:220W
阈值电压:5V@630µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:205mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NM50FD
工作温度:150℃
功率:214W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1380pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF26NM60N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":721}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3707-1E
工作温度:150℃
功率:2W€25W
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: