品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
阈值电压:1.4V@1.57mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
阈值电压:1.4V@1.57mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
阈值电压:1.4V@1.57mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
阈值电压:1.4V@1.57mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
阈值电压:1.4V@1.57mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
阈值电压:1.4V@1.57mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
阈值电压:1.4V@1.57mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
阈值电压:1.4V@1.57mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2K107NUZTCG
工作温度:150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:2.85mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
阈值电压:1.4V@1.57mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
阈值电压:1.4V@1.57mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2K107NUZTCG
工作温度:150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:2.85mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2K107NUZTCG
工作温度:150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:2.85mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
功率:1.33W
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:12V
工作温度:150℃
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
ECCN:EAR99
阈值电压:1.4V@1.57mA
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
功率:1.33W
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:12V
工作温度:150℃
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
ECCN:EAR99
阈值电压:1.4V@1.57mA
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
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