包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF3N62K3

工作温度：150℃

功率：20W

阈值电压：4.5V@50µA

栅极电荷：13nC@10V

包装方式：管件

输入电容：385pF@25V

连续漏极电流：2.7A

类型：N沟道

导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V

漏源电压：620V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF9N60M2

工作温度：150℃

功率：20W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：10nC@10V

包装方式：管件

输入电容：320pF@100V

连续漏极电流：5.5A

类型：N沟道

导通电阻：780mΩ@3A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF9N60M2

工作温度：150℃

功率：20W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：10nC@10V

包装方式：管件

输入电容：320pF@100V

连续漏极电流：5.5A

类型：N沟道

导通电阻：780mΩ@3A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF9N60M2

工作温度：150℃

功率：20W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：10nC@10V

包装方式：管件

输入电容：320pF@100V

连续漏极电流：5.5A

类型：N沟道

导通电阻：780mΩ@3A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-1

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-1

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF10P6F6

工作温度：150℃

功率：20W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：6.4nC@10V

包装方式：管件

输入电容：340pF@48V

连续漏极电流：10A

类型：P沟道

导通电阻：160mΩ@5A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF7NM60N

工作温度：150℃

功率：20W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：14nC@10V

包装方式：管件

输入电容：363pF@50V

连续漏极电流：5A

类型：N沟道

导通电阻：900mΩ@2.5A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF3N62K3

工作温度：150℃

功率：20W

阈值电压：4.5V@50µA

栅极电荷：13nC@10V

包装方式：管件

输入电容：385pF@25V

连续漏极电流：2.7A

类型：N沟道

导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V

漏源电压：620V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-1

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD117T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF9N60M2

工作温度：150℃

功率：20W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：10nC@10V

包装方式：管件

输入电容：320pF@100V

连续漏极电流：5.5A

类型：N沟道

导通电阻：780mΩ@3A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF10P6F6

工作温度：150℃

功率：20W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：6.4nC@10V

包装方式：管件

输入电容：340pF@48V

连续漏极电流：10A

类型：P沟道

导通电阻：160mΩ@5A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF7NM60N

工作温度：150℃

功率：20W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：14nC@10V

包装方式：管件

输入电容：363pF@50V

连续漏极电流：5A

类型：N沟道

导通电阻：900mΩ@2.5A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF7NM60N

工作温度：150℃

功率：20W

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栅极电荷：14nC@10V

包装方式：管件

输入电容：363pF@50V

连续漏极电流：5A

类型：N沟道

导通电阻：900mΩ@2.5A，10V

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包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-1

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF7NM60N

工作温度：150℃

功率：20W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：14nC@10V

包装方式：管件

输入电容：363pF@50V

连续漏极电流：5A

类型：N沟道

导通电阻：900mΩ@2.5A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1