品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2225-E
工作温度:150℃
功率:50W
包装方式:管件
输入电容:984.7pF@30V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@1A,15V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2225-E
工作温度:150℃
功率:50W
包装方式:管件
输入电容:984.7pF@30V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@1A,15V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10A80E,S4X
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK39A60W,S4VX
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:3.7V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@300V
连续漏极电流:38.8A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@19.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2225-80-E#T2
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:990pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@1A,15V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2225-80-E#T2
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:990pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@1A,15V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2225-E
工作温度:150℃
功率:50W
包装方式:管件
输入电容:984.7pF@30V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@1A,15V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2225-E
工作温度:150℃
功率:50W
包装方式:管件
输入电容:984.7pF@30V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@1A,15V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2225-80-E#T2
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:990pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@1A,15V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10A80E,S4X
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK35A65W,S5X
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:3.5V@2.1mA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@300V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):2SK2225-80-E#T2
工作温度:150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
功率:50W
漏源电压:1500V
导通电阻:12Ω@1A,15V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
输入电容:990pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK9A90E,S4X
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@4.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2225-80-E#T2
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:990pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@1A,15V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK39A60W,S4VX
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:3.7V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@300V
连续漏极电流:38.8A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@19.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK39A60W,S4VX
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:3.7V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@300V
连续漏极电流:38.8A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@19.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK9A90E,S4X
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@4.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK9A90E,S4X
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@4.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK9A90E,S4X
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@4.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK35A65W,S5X
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:3.5V@2.1mA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@300V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK35A65W,S5X
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:3.5V@2.1mA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@300V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2225-80-E#T2
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:990pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@1A,15V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2225-80-E#T2
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:990pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@1A,15V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK39A60W,S4VX
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:3.7V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@300V
连续漏极电流:38.8A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@19.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK35A65W,S5X
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:3.5V@2.1mA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@300V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TK35A65W5,S5X
阈值电压:4.5V@2.1mA
工作温度:150℃
类型:N沟道
功率:50W
栅极电荷:115nC@10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
连续漏极电流:35A
导通电阻:95mΩ@17.5A,10V
输入电容:4100pF@300V
包装清单:商品主体 * 1
库存: