采购热线 400-661-9010
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P60Y，RQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4V@450µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ(S
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NM50ND
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD01N
集射极击穿电压(Vceo)：150V
集电极电流(Ic)：10A
功率：100W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@6mA，6A
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@6A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ST901T
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：100W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，2A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1800@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD01N
集射极击穿电压(Vceo)：150V
集电极电流(Ic)：10A
功率：100W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@6mA，6A
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@6A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD01N
集射极击穿电压(Vceo)：150V
集电极电流(Ic)：10A
功率：100W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@6mA，6A
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@6A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD01P
集射极击穿电压(Vceo)：150V
集电极电流(Ic)：10A
功率：100W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@6mA，6A
ECCN：EAR99
包装方式：散装
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@6A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ650N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10780pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ(S
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ(S
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@5.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ANJTL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P60Y，RQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4V@450µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1317-E
工作温度：150℃
功率：100W
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@2A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1317-E
工作温度：150℃
功率：100W
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@2A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ550N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6150pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：16.8mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ550N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6150pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：16.8mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ550N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6150pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：16.8mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1317-E
工作温度：150℃
功率：100W
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@2A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ(S
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1317-E
工作温度：150℃
功率：100W
包装方式：管件
输入电容：990pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@2A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ650N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10780pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ650N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10780pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ650N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10780pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ST901T
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：4A
功率：100W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，2A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1800@2A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SB1560
集射极击穿电压(Vceo)：150V
集电极电流(Ic)：10A
功率：100W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
特征频率：50MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@7mA，7A
ECCN：EAR99
包装方式：散装
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@7A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
