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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RW1C026ZPT2CR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUS100N02TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J213FE(TE85L，F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：103mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J135TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：103mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N56FE，LM
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.2pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@50mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4C050APTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J801R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K7T2CR
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6L14FE(TE85L，F)
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@10V€110pF@10V
连续漏极电流：800mA€720mA
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J412TU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：42.7mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N37FE，LM(T
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUF020N02TL
工作温度：150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K36FS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.23nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：630mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C010UNT2L
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8K1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6L36FE，LM
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@10V
连续漏极电流：500mA€330mA
类型：N和P沟道
导通电阻：630mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C050UNTR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8J21TR
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1270pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：68mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6M2T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K37CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1544
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K7T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUL035N02TR
工作温度：150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：5.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM002N02T2L
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K37CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUL035N02TR
工作温度：150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J328R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：29.8mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P36TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUF020N02TL
工作温度：150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUF020N02TL
工作温度：150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
