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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ2LN60K3-AP
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：670，"16+"：38035，"17+"：15323}
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1350-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W€23W
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@9.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2LN60K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRL025P03FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ2LN60K3-AP
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ2LN60K3-AP
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2LN60K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN22006NH，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€18W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@30V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E170GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@17A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E170GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@17A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E170GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@17A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2LN60K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2LN60K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRL025P03FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN22006NH，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€18W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@30V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E170GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@17A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN22006NH，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€18W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@30V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E170GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@17A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2LN60K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4N60ECP ROG
工作温度：150℃
功率：86.2W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6Q60W，S1VQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.7V@310µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@300V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：820mΩ@3.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E170GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@17A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
