采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N55M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：192mΩ@8A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N65M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N65M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N65M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N65M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N65M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N65M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N55M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：192mΩ@8A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N65M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N65M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N65M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL18N65M5
工作温度：150℃
功率：57W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB18N65M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：2237
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL18N65M5
工作温度：150℃
功率：57W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N55M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：192mΩ@8A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N65M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N65M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2237
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL18N65M5
工作温度：150℃
功率：57W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：2237
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL18N65M5
工作温度：150℃
功率：57W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N65M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
